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J-GLOBAL ID：200903048898362602
液晶表示装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994315061
Publication number (International publication number)：1996171101
Application date： Dec. 19, 1994
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 TFTの光リーク電流の発生を抑え、液晶印加電圧をTFTのオフ時に確実に保持して表示画像のコントラスト比の向上やクロストークの低減など表示性能の向上を実現した液晶表示装置を簡易な製造プロセスによって製作する。【構成】 遮光膜115の上に、SiO2 からなる第1の層間絶縁膜116が形成されている。この第1の層間絶縁膜116の厚さは 1μmとした。そしてこの第1の層間絶縁膜116の上に前記の遮光膜115と同一の平面形状の第1のp-Siが成膜され、これを遮光膜115を用いた裏面露光でパターニングして、活性層121が形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上に互いに交差するように複数の走査配線と複数の信号配線とを配設し、該走査配線および該信号配線に接続するように該走査配線および該信号配線の交差部ごとにスイッチング素子としてのコプラナ型の薄膜トランジスタ素子を形成し、該薄膜トランジスタ素子ごとに接続された画素電極を形成し前記薄膜トランジスタ素子への光入射を遮るための遮光膜を前記絶縁性基板と前記薄膜トランジスタ素子との間に形成してスイッチング素子アレイ基板を作製する工程と、前記スイッチング素子アレイ基板に間隙を有して対向配置される対向電極を形成して対向基板を作製する工程と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間に液晶組成物を注入・挟持させて液晶層を作製する工程とを有する液晶表示装置の製造方法において、前記遮光膜となる材料を成層し該層状の材料をパターニングして前記遮光膜を作製する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を成層する工程と、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタ素子の活性層となる活性層材料を成層する工程と、前記活性層材料を、前記遮光膜を露光マスクとしてパターニングして前記活性層を作製する工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335 500
