Pat
J-GLOBAL ID：200903048906516657
III-V族化合物半導体ウェハおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344914
Publication number (International publication number)：1997162122
Application date： Dec. 05, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【課題】 エピタキシャル層の表面に生じる欠陥が大幅に低減された、厚膜のエピタキシャルウェハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 面方位が(111)A面から微傾斜させた面を有するGaAsおよびInPからなる群から選ばれるIII-V族化合物半導体からなる基板と、当該基板の当該面上に成長されたGaNを含むエピタキシャル層とを備える。
Claim (excerpt)：
面方位が(111)A面から微傾斜させた面を有するGaAsおよびInPからなる群から選ばれるIII-V族化合物半導体からなる基板と、前記基板の前記面上に成長されたエピタキシャル層とを備える、III-V族化合物半導体ウェハ。
IPC (5)：
H01L 21/20
, C30B 25/18
, C30B 29/40
, H01L 21/205
, H01L 31/108
H01L 21/20
, C30B 25/18
, C30B 29/40
, H01L 21/205
, H01L 31/10 C
