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J-GLOBAL ID：200903048913486909
半導体レーザ素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995075005
Publication number (International publication number)：1996274411
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、容易に電流狭窄および導波路構造を作り付けることができる量産性に優れた窒化物系化合物半導体レーザ素子を提供することにある。【構成】 AlNバッファ層3もしくはGaNバッファ層を成長した領域と成長していない領域をサファイア基板上1に形成後、窒化物系化合物半導体層4〜8から構成されるレーザ構造を結晶成長する。【効果】 本発明によれば、光軸方向のみにバッファ層を形成したサファイア基板上に窒化物系化合物半導体層から構成されるレーザ構造を結晶成長することによって、自己導波路構造の形成による光の閉じ込めとキャリアの閉じ込めを行うことができる。この結果、低注入キャリア密度によって横モードが制御されたレーザ光を得ることができる。
Claim (excerpt)：
AlNバッファ層もしくはGaNバッファ層を成長した領域と成長していない領域を形成したサファイア基板上に窒化物系化合物半導体層から構成されるレーザ構造を結晶成長したことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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