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J-GLOBAL ID：200903048925679133

巨大磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor： 長谷川 直也
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 三浦 邦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002159530
Publication number (International publication number)：2004006494
Application date： May. 31, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【目的】積層フェリ型フリー磁性層のエッジ領域における磁化の乱れを軽減できる巨大磁気抵抗効果素子及びその製造方法を得る。【構成】第1磁性層11;非磁性層13;及び第2磁性層12を積層した積層フェリ型フリー磁性層10と、ハードバイアス層8とを有するGMR素子1において、第1磁性層11が、トラック幅領域に対応して形成されトラック幅方向の両側端部でハードバイアス層8に接する主磁性層11aと、この主磁性層11a上及びハードバイアス層8上に跨らせて積層された補助磁性層11bとを有している。この主磁性層11aと補助磁性層11bの合計膜厚D1は第2磁性層12の膜厚D2よりも厚く形成されており、非磁性層13は補助磁極層11bと第2磁性層12との間にRKKY的な反平行結合を生じさせる膜厚で形成されている。さらに、補助磁性層11b、非磁性層13及び第2磁性層12のトラック幅方向の寸法T2が主磁性層11aの同方向の寸法T1よりも長く形成されている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1磁性層;この第1磁性層上に形成された非磁性層;及びこの非磁性層上に形成された第2磁性層;を有する積層フェリ型フリー磁性層と、前記第1磁性層の磁化方向を揃えるハードバイアス層とを備えた巨大磁気抵抗効果素子において、 前記第1磁性層は、トラック幅領域に対応して形成されトラック幅方向の両側端部で前記ハードバイアス層に接する主磁性層と、この主磁性層上及び前記ハードバイアス層上に跨らせて積層された補助磁性層とを有し、この主磁性層及び補助磁性層の合計膜厚が前記第2磁性層の膜厚よりも厚く形成されていて、 前記補助磁性層、前記非磁性層及び前記第2磁性層のトラック幅方向の寸法が前記主磁性層の同方向の寸法よりも長く形成されており、 前記非磁性層は、前記補助磁極層と前記第2磁性層との間にRKKY的な反平行結合を生じさせる膜厚で形成されていることを特徴とする巨大磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

FI (6)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 P ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 R

F-Term (16)：

2G017AA00 ,  2G017AB08 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12