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J-GLOBAL ID：200903048926790330

半導体装置の製造方法およびその製造装置

Inventor： 水島 賢子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999055518
Publication number (International publication number)：2000252233
Application date： Mar. 03, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の銅配線形成技術に関し、銅めっき厚さが均一化する製造方法および製造装置の提供を目的とする。【解決手段】 めっき浴中において、全面に被めっき領域をもつ被処理体1に通電用電極2を接触させるとともに、被処理体1に対する通電用電極2の接触位置を駆動手段5によって変化させながら電気めっきを施すように構成する。

Claim (excerpt)：

めっき浴中において、全面に被めっき処理域をもつ被処理体に通電用電極を接触させるとともに、該被処理体に対する該通電用電極の接触位置を変化させながら電気めっきを施す工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 ,  C25D 5/04 ,  C25D 7/00

FI (3)：

H01L 21/288 E ,  C25D 5/04 ,  C25D 7/00 G

F-Term (14)：

4K024AA09 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024CA16 ,  4K024CB02 ,  4K024CB09 ,  4K024CB13 ,  4K024CB21 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20