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J-GLOBAL ID：200903048947503926

半導体基板表面及び基板上薄膜の不純物分析方法

Inventor： 渡辺 かおり
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 松浦 兼行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995282872
Publication number (International publication number)：1997129693
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Ptの分析の場合には半導体基板を加熱状態で王水回収するVPD法が使用されているが、王水は半導体基板上で強烈に弾け飛び散るなど、分析法としての安定性に乏しい。また、王水はそのまま分析装置に導入して測定することはできないため、蒸発乾固をして、残留物を希薄な酸で溶解して測定しなければならず、手間や測定するまでの時間が増え、それにより汚染物質が混入したり、バックグランドが悪くなってしまう。【解決手段】 1×1013atoms/cm2にPt汚染した基板表面を5回繰り返して処理したときの回収率と回収液との関係は、回収液を塩素水にすると、黒丸印で示すように、従来の白丸印で示した王水を用いた場合に比し、回収率が20%向上し、定量下限も約1桁向上して108atoms/cm2レベルの感度が得られる。これにより、高精度化、高感度化、分析時間の低減が可能になる。

Claim (excerpt)：

弗化水素酸蒸気により半導体基板表面及び基板上薄膜を分解して、その分解物を回収液で回収し、その回収液を分析する不純物分析方法において、前記回収液に塩素酸を含む薬液を使用することを特徴とする半導体基板表面及び基板上薄膜の不純物分析方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 1/10 ,  G01N 31/00

FI (3)：

H01L 21/66 L ,  G01N 1/10 F ,  G01N 31/00 S