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J-GLOBAL ID:200903048965285391

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐野 静夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992149780
Publication number (International publication number):1993343578
Application date: Jun. 10, 1992
Publication date: Dec. 24, 1993
Summary:
【要約】【目的】機械的ストレスや熱的ストレスに強く、薄いチップを備えた半導体装置を実現する。【構成】チップ13の両面に、チップ13に対する接触面積が等しい一対のバンプ14,15を形成し、バンプ14,15を介してチップ13を挟み、バンプ14,15に対して等しい接触面積で一対のリード1,2を半田付けする。
Claim (excerpt):
半導体素子を対向する一対のリード間に設けて成る半導体装置において、前記半導体素子の両面に導電体を介して前記リードを半田付けしたことを特徴とする半導体装置。

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