Pat
J-GLOBAL ID:200903048971049624

化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002276743
Publication number (International publication number):2003177539
Application date: Sep. 24, 2002
Publication date: Jun. 27, 2003
Summary:
【要約】【解決手段】 (A)フッ素原子を少なくとも1個含む繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)式(1)の化合物、【化1】(R1、R2はH、F、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R1とR2の内少なくとも一方がフッ素原子を含む。R3は単結合又はアルキレン基、R4は少なくとも1個の芳香環又はジエン環を有する炭素数4〜40のn価の有機基、R5はH又はC(=O)R6であり、R6はH又はCH3である。nは2,3又は4である。)(C)有機溶剤、(D)酸発生剤を含有する化学増幅レジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度と透明性が優れている。
Claim (excerpt):
(A)フッ素原子を少なくとも1個含む繰り返し単位を有する高分子化合物、(B)下記一般式(1)で示される化合物、【化1】(式中、R1、R2は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R1とR2の内いずれか一方又は双方は少なくとも1個のフッ素原子を含む。R3は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基を示し、R4は少なくとも1個の芳香環又はジエン環を有する炭素数4〜40のn価の有機基であり、R5は水素原子又はC(=O)R6であり、R6は水素原子又はメチル基である。nは2,3又は4である。)(C)有機溶剤、(D)酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅レジスト材料。
IPC (7):
G03F 7/039 601 ,  C08F214/18 ,  C08F220/00 ,  C08F220/22 ,  C08F234/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/039 601 ,  C08F214/18 ,  C08F220/00 ,  C08F220/22 ,  C08F234/00 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (33):
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AC21P ,  4J100AC26P ,  4J100AC29P ,  4J100AF15S ,  4J100AL08Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA07Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BB18S ,  4J100BC03R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA06 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (12)
Show all

Return to Previous Page