Pat
J-GLOBAL ID：200903048972001064
イオンプレーティング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993288163
Publication number (International publication number)：1995138743
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： May. 30, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板の表面上にほぼ一定の膜厚の膜を形成できる、簡単な構造のイオンプレーティング装置を提供する。【構成】 ハース11に対するプラズマビームの入射方向を調整する入射ビーム方向調整手段として、ハース11内に配置された棒磁石11aと、中心軸がハース11の中心軸に合うようにハース11の上部近傍に設けらた環状永久磁石15とを設けた。これにより、棒磁石11aによる磁力線と環状永久磁石15による磁力線との合成によって、ハース11の入射面上方にカスプ磁場を形成してプラズマビームの修正を行う。【効果】 プラズマビームをハース11上の蒸着物質の真上よりほぼ直線的に入射させることができるので、基板12の表面上に均一な膜厚の薄膜を形成できる。
Claim (excerpt)：
ビーム発生器からプラズマビームを発生させ、該プラズマビームをハースの入射面に導き、該ハース上の蒸着物質を蒸発・イオン化し、該蒸発・イオン化した蒸着物質を前記ハースと対向して配置された基板の表面に付着させてイオンプレーティングを行うイオンプレーティング装置において、前記ハースに対する前記プラズマビームの入射方向を調整する入射ビーム方向調整手段を備え、該入射ビーム方向調整手段が前記ハース内に配置された棒磁石と、中心軸が前記ハースの中心軸に合うように前記ハースの上部近傍に設けらた環状永久磁石とを有し、前記棒磁石による磁力線と前記環状永久磁石による磁力線との合成によって、前記ハースの入射面上方にカスプ磁場を形成して前記プラズマビームの修正を行うようにしたことを特徴とするイオンプレーティング装置。
IPC (4)：
C23C 14/32
, H01L 21/203
, H01L 21/265
, H05H 1/46
