Pat

J-GLOBAL ID：200903048973596045

磁性薄膜メモリ

Inventor： 佐藤 雄一 ,  大池 太郎 ,  野口 潔 ,  荒木 悟 ,  篠浦 治
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244993
Publication number (International publication number)：1997091951
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 同一の読み出し線に接続された複数の磁性薄膜メモリ素子に記録されている情報を、同時に2素子以上再生することができ、メモリの高速化に好適な磁性薄膜メモリ素子を提供することを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗効果を示す磁性薄膜に情報を記憶する磁性薄膜メモリに於いて、再生出力電圧の異なる2種類以上の前記磁性薄膜からなる単位素子が同一の読み出し線上に電気的に直列に接続されたことを特徴とする磁性薄膜メモリ。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果を示す磁性薄膜に情報を記憶する磁性薄膜メモリに於いて、再生出力電圧の異なる2種類以上の前記磁性薄膜からなる単位素子が同一の読み出し線上に電気的に直列に接続されたことを特徴とする磁性薄膜メモリ。