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J-GLOBAL ID：200903048981492593

マイクロ波導入窓及びマイクロ波プラズマ生成装置

Inventor： 櫃石 光治 ,  秋山 和敬 ,  岡村 竜次
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107229
Publication number (International publication number)：1994295796
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 マイクロ波導入窓からマイクロ波を導入して反応処理を行なう装置において、低パワーでの放電開始を可能とし、必要以上の定格を持つ電源の使用が避けられ、長時間にわたる安定放電が得られる装置を得る。【構成】 円筒導波路と同径かそれ以上の直径の誘電体からなる円柱円盤1と、該円盤上に設置されたn個(nは自然数)の誘電体ブロック2とを有するマイクロ波導入窓であり、前記円柱円盤と誘電体ブロックのマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をそれぞれS1、S2、マイクロ波の進行方向の厚さをそれぞれL1、L2とし、前記円柱円盤中のマイクロ波の波長をλとする場合、L1+L2/(S1/nS2)で表される長さが(1/2λ-1/50λ)以上(1/2λ+1/50λ)以下であることを特徴とするマイクロ波導入窓及びこれを具備した装置。

Claim (excerpt)：

マイクロ波導入窓からマイクロ波を導入して反応処理を行なう装置の前記マイクロ波導入窓において、前記マイクロ波導入窓は、円筒導波路と同径かそれ以上の直径の誘電体からなる円柱円盤と、該円盤上に設置されたn個(nは自然数)の誘電体ブロックとを有し、前記円柱円盤のマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をS1、マイクロ波の進行方向の厚さをL1とし、前記誘電体ブロックのマイクロ波の進行方向に対して垂直な面の面積をS2、マイクロ波の進行方向の厚さをL2とし、前記円柱円盤中のマイクロ波の波長をλとする場合、L1+L2/(S1/nS2)で表される長さが(1/2λ-1/50λ)以上(1/2λ+1/50λ)以下であることを特徴とするマイクロ波導入窓。