Pat

J-GLOBAL ID：200903048983894052

半導体デバイスに関する改良

Inventor： パトリック エー.ベグレイ ,  アンソニー リヴォリ ,  ジョルジー バジョール ,  レックス イー. ローサー
Applicant, Patent owner： ハリス・コーポレーション
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997131865
Publication number (International publication number)：1998335615
Application date： May. 22, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】移動度劣化結晶シリコン、たとえば多結晶シリコンを用いる半絶縁体14から成る層にボンデッドされたシリコンデバイス層を備えるボンデッドウエハ10によって構成される半導体デバイス。層20内のデバイスが0.1GHzを超える周波数において作動される際、層14が、抵抗性損失を減少させるために十分な厚さを有し、また基板16は十分に導電性である。層20内のデバイス間のクロストークを阻止するために、基板16は十分に導電性であり、また半絶縁性物質14は十分に抵抗性である。

Claim (excerpt)：

ハンドル基板と、ハンドルウエハ上の半絶縁層と、絶縁層と、絶縁層上の単結晶シリコンから成るデバイス層であって、半絶縁層が所定の厚さを有することを特徴とする、高周波数における損失およびクロストークを減少させるために半絶縁層によってボンディングされたウエハにより構成される半導体デバイス。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02

FI (2)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B