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J-GLOBAL ID：200903049000157834

半導体超微粒子の製造方法及び製造装置

Inventor： 齊田 壮一郎 ,  加和 学
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001154766
Publication number (International publication number)：2002079076
Application date： May. 24, 2001
Publication date： Mar. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 粒径分布が狭く且つ吸発光特性の優れた半導体超微粒子を生産性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質と下記一般式(1)で表されるカルコゲン化合物類である第2物質とを半導体原料とし両者を管状流通反応器内部の液相中で接触させてカルコゲン化物半導体結晶を生成させ、かつ両者の接触時点の該液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。M1M2E (1)(但し、一般式(1)においてM1及びM2は周期表第1族元素又はオニウム残基を表し、Eは周期表第16族元素を表し、M1及びM2は互いに異なっていてもよい。)

Claim (excerpt)：

電気陰性度が2.0以下である陽性元素を含有する第1物質と下記一般式(1)で表されるカルコゲン化合物類である第2物質とを半導体原料とし両者を管状流通反応器内部の液相中で接触させてカルコゲン化物半導体結晶を生成させ、かつ両者の接触時点の該液相のレイノルズ数が1以上であることを特徴とする半導体超微粒子の製造方法。【化1】M1M2E (1)(但し、一般式(1)においてM1及びM2は周期表第1族元素又はオニウム残基を表し、Eは周期表第16族元素を表し、M1及びM2は互いに異なっていてもよい。)

IPC (2)：

B01J 19/00 ,  H01L 33/00

FI (3)：

B01J 19/00 N ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 D

F-Term (14)：

4G075AA27 ,  4G075AA70 ,  4G075BA02 ,  4G075BD16 ,  4G075EB21 ,  4G075EC11 ,  4G075FB01 ,  4G075FC13 ,  5F041CA03 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA43 ,  5F041CA44 ,  5F041CA46