電磁波の位相情報および/または振幅情報を調べるための方法と装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：重信和男 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998512124
Publication number (International publication number)：2000517427
Application date： Sep. 05, 1997
Publication date： Dec. 26, 2000
Summary：

【要約】本発明は、電磁波の位相および/または振幅情報を調べる方法と、その装置に関するものである。かかる方法で得られた画像データの空間深さ分解能を提供するために、本発明による方法は以下の段階を含む:少なくとも2つの感光変調光ゲートGamとGbmおよび関連蓄積ゲートGaとGbを有する少なくとも1つの画素を含む光混合素子の表面に電磁波が照射され、Uam(t)=U0+Um(t)およびUbm(t)=U0-Um(t)として構成されている変調光ゲート電圧Uam(t)およびUbm(t)が、変調光ゲートGamおよびGbmに印加される段階;U0および変調電圧Um(t)の振幅以上の大きさを持つ直流電圧が、蓄積ゲートGaおよびGbに印加される段階;入射電磁波によって変調光ゲートGamおよびGbmの空間電荷領域に生じた電荷キャリアが、変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)の極性の関数として、ドリフト電界の電位勾配および対応蓄積ゲートGaまたはGbへのドリフトを受けさせられる段階;蓄積ゲートGaおよびGbにドリフトされた電荷qaとqbがそれぞれ転送(divert)される段階。当該光混合素子は、少なくとも1つの画素を有している。該画素は、少なくとも2つの感光変調光ゲート(Gam,Gbm)と、該変調光ゲートに対応し、入射電磁波によって区分されている蓄積ゲート(Ga,Gb)とから構成されている。複数の光混合素子をアセンブルすることによってアレイを形成できる。

Claim (excerpt)：

電磁波の位相および/または振幅情報を決定する方法において、 -電磁波を少なくとも1つの画素を有する光混合素子の表面に照射し、上記の画素は少なくとも2つの感光変調光ゲートGamとGbmおよび関連する蓄積ゲートGaとGbを有し、 -上記の変調光ゲートGamとGbmにUam(t)=Uo+Um(t)およびUbm(t)=Uo-Um(t)の形式の変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)を加え、 -上記の蓄積ゲートGaとGbに大きさがUoの合計と少なくとも同じ大きさのdc電圧と変調電圧Um(t)の振幅を印加し、 -入射電磁波によって変調光ゲートGamとGbmの空間電荷領域に生成された電荷キャリアを変調光ゲート電圧Uam(t)とUbm(t)の極性および上記の対応する蓄積ゲートGaとGbに対するドリフトに応じてドリフト電界のポテンシャルグラディエントに照射し、 -それぞれの蓄積ゲートGaとGbにドリフトした上記の電荷qaとqbを取り去ることを特徴とする方法。

IPC (3)：

G01J 9/00 , G01S 7/48 , G02F 1/01

FI (3)：

G01J 9/00 , G01S 7/48 Z , G02F 1/01 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

CCD型固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-090926 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-087668

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