Pat

J-GLOBAL ID：200903049004407363

基板処理方法

Inventor： 柏瀬 正晴 ,  松岡 輝美 ,  加藤 章 ,  高橋 怜子
Applicant, Patent owner： クロリンエンジニアズ株式会社
Agent (1)： 米澤 明 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315068
Publication number (International publication number)：1993152270
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 オゾンによるウエハなどの基板上の有機物被膜、好ましくない付着物等を除去する速度を高める。【構成】 オゾン含有気体8によってシリコンウエハなどの基板3上の有機物被膜、好ましくない有機化合物あるいは無機化合物の付着物等の被処理物に、オゾン含有気体を超純水中7を通して湿潤な気体とした後、オゾン含有気体を超純水中に注入して発生した気泡と液面の近傍で接触させるか、あるいはオゾン含有気体と超純水との混相流を基板上にスプレーすることによって、常温で基板上の被処理物を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ等の基板を処理する方法において、処理液中を通過させたオゾン含有気体を基板表面の被処理物に作用させて、被処理物面にオゾンを含有する処理液の薄膜を形成して、基板を加熱することなく被処理物を除去することを特徴とする基板処理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-302144
  
• 加圧浮上分離法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-189369   Applicant：住友精密工業株式会社