半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992211562
Publication number (International publication number)：1994061254
Application date： Aug. 07, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】高性能の微細電界効果型トランジスタを得ることを可能にする。【構成】酸化性溶液中でシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、シリコン酸化膜上にゲート電極を形成する第2の工程とを備え、この第2の工程後の工程を所定の温度以下で行うことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

酸化性溶液中でシリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成する第1の工程と、前記シリコン酸化膜上にゲート電極を形成する第2の工程とを備え、この第2の工程後の工程を所定の温度以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-007517
特開平2-002136
特開平2-028931

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