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J-GLOBAL ID：200903049022483409

窒化物レーザ素子構造

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999095129
Publication number (International publication number)：2000294875
Application date： Apr. 01, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【目的】高出力でもFFPが良好な単一横モードとなり、歩留も良い新規な素子構造を得る。【構成】活性層上に形成された第1のp型窒化物半導体層の上にストライプ状の開口部を有する絶縁膜を形成することで、次に形成する第2の窒化物半導体層は前記開口部より選択成長していく。すなわちこの窒化物半導体レーザ素子は、エッチングによってリッジを形成する必要がなくなり、窒化物半導体を積層していくだけで所望の屈折率差が得られるようになる。
Claim (excerpt)：
活性層上に形成された第1のp型窒化物半導体層の上にストライプ状の開口部を有する第1の絶縁膜が形成され、さらに前記開口部より第2のp型窒化物半導体層が形成されて、その第2のp型窒化物半導体によりリッジが形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/22 610 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01S 3/18 669 ,  H01S 3/18 673
F-Term (8)：
5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA19 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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