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J-GLOBAL ID：200903049023410863

処理装置

Inventor： 輿水 地塩
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150389
Publication number (International publication number)：1997312283
Application date： May. 21, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【目的】 エッチング処理装置において、被処理体表面のプラチナ層に対して、高い選択性でエッチング処理を可能とする。【構成】 表面にプラチナ層を有する被処理体であるウェハWを、処理容器102内のサセプタ105上に載置し、処理ガス供給源121から酸素ガスを導入後、上部電極123及び下部電極となるサセプタ105に高周波電力を導入することにより、高いシース電圧が得られ、それにより高いエネルギーのプラズマが得られることから、安定性の高いプラチナ層に対しても、高い選択性でかつ高いエッチングレートで処理することが可能である。

Claim (excerpt)：

真空処理容器内において所定の処理ガスをプラズマ化し載置台に載置された被処理体に対してエッチング処理を施す処理装置であって、前記処理ガスとして酸素ガスのみを用い、前記被処理体の処理面に形成されたプラチナ層をエッチングすることを特徴とする、処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 E ,  H05H 1/46 C