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J-GLOBAL ID：200903049025910480

半導体装置

Inventor： 鎌田 達雄
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143053
Publication number (International publication number)：1993335358
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体基板の一面上にエミッタ電極とベース電極のように互いに入くんで存在する電極と接続導体との間に熱疲労のない接続を行う。【構成】上面電極を先すぼまりの突起電極として形成し、その頂部に基板面に平行に走る条状電極板の先端を接触させ、その接触を電極板を全面に加える半導体基板の厚さ方向の圧力により加圧接触とすることにより熱疲労の発生を防ぐ。

Claim (excerpt)：

半導体基板の第一主面の電極は全面で支持板とろう付けされ、第二主面の電極は複数の接続導体に接続されるものにおいて、第二主面の電極が、頂部に向かうにつれて横断面積の小さくなる形状をもつ突起電極として第二主面上に分散して形成され、その頂部に条状接続導体が半導体基板の厚さ方向に加えられる圧力のもとで接触することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-058253
  
• 特開平1-192125
  
• 特開平2-135763
  
• 特開平2-192195