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J-GLOBAL ID：200903049028620548
多層導体層構造デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271084
Publication number (International publication number)：1993216070
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】低抵抗で、特にインジウムスズ酸化物用エッチング液耐性に優れ、基板との密着性の良好な導体材料で形成された導体を有する多層導体層構造デバイス液晶表示装置を提供する。【構成】本発明のデバイスは、基板11と、この基板上に形成され電極又は配線となる第1の導体層12と、この第1の導体層および前記基板を覆う絶縁膜13と、この絶縁膜上に形成され電極又は配線となるインジウムスズ酸化物からなる第2の導体層14とを備える。前記第1の導体層が、アルミニウムと、銅、金、ホウ素、ビスマス、コバルト、クロム、ゲルマニウム、鉄、モリブデン、ニオブ、ニッケル、パラジウム、白金、タンタル、チタン、タングステンおよび/または銀との合金で形成されている。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上に形成され電極又は配線となる第1の導体層と、この第1の導体層および前記基板を覆う絶縁膜と、この絶縁膜上に形成され電極又は配線となるインジウムスズ酸化物からなる第2の導体層とを備え、前記第1の導体層が、アルミニウムと、銅、金、ホウ素、ビスマス、コバルト、クロム、ゲルマニウム、鉄、モリブデン、ニオブ、ニッケル、パラジウム、白金、タンタル、チタン、タングステンおよび銀の中から選ばれた少なくとも1種の元素との合金で形成されたことを特徴とする多層導体層構造デバイス。
IPC (6)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
, H01L 21/3205
, H01L 27/146
, H01L 29/784
H01L 21/88 M
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 311 A
Cited by examiner (11)
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