Pat

J-GLOBAL ID：200903049034674137

フォトダイオードおよび光通信システム

Inventor： 北村 昇二郎 ,  川瀬 健夫 ,  金子 丈夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998201244
Publication number (International publication number)：1999330535
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 単一の素子で波長分割多重された光信号を受信でき、作製容易なフォトダイオード、およびこれを用い、シンプルな光回路によって波長分割多重光通信が可能な光通信システムを提供する。【解決手段】 フォトダイオード100は、n型半導体基板101上に積層された複数の半導体層を有する堆積体に、異なるバンド幅の光吸収層を有する2つの第1および第2のpin型フォトダイオード100-1,100-2を有し、半導体基板101の側から光吸収層102,104のバンド幅の小さい順に積層される。受光部110は、バンド幅がより大きい光吸収層を有するpin型フォトダイオード100-2の側に形成され、上記2つのフォトダイオードは、それぞれの同一導電型(p型)のコンタクト層が単一のコンタクト層103で共用され、このフォトダイオードは、2つの異なる波長の光を電気変換できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に積層された複数の半導体層を有する堆積体に、異なるバンド幅の光吸収層を有する複数のpin型フォトダイオードが含まれ、前記pin型フォトダイオードは、前記半導体基板の側から前記光吸収層のバンド幅の小さい順に積層され、かつ、受光部は、バンド幅が最も大きい光吸収層を有するpin型フォトダイオードの側に形成され、複数の異なる波長の光を光-電気変換できるフォトダイオード。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/293 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 31/10 A ,  H01S 3/18 ,  G02B 6/28 B