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J-GLOBAL ID：200903049038297354

炭化ケイ素表面に高品質パッシベーション層を形成する方法及びパッシベーション領域を有する炭化ケイ素基材のデバイス構造

Inventor： ジョン・ダブリュー・パルマワー
Applicant, Patent owner： クリー リサーチ インコーポレイテッド
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993205230
Publication number (International publication number)：1995066192
Application date： Aug. 19, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 炭化ケイ素の表面に高品質のパッシベーション層を形成する方法を提供する。【構成】 本方法は、デバイス構造の炭化ケイ素部分の上のケイ素含有材料の犠牲層を酸化する工程を含む。上記酸化により、犠牲層が実質的に消尽され、炭化ケイ素部分の上に酸化物のパッシベーション層が形成される。上記パッシベーション層は、該パッシベーション層を形成する酸化物層の電気的な完全性を損なう恐れのあるドーパントを実質的に含まない。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素の表面に高品質のパッシベーション層を形成する方法において、デバイス構造の炭化ケイ素部分のケイ素含有材料から成る犠牲層を酸化して該犠牲層を実質的に消尽させ、前記炭化ケイ素部分の上に酸化物のパッシベーション層を形成する工程を備え、前記パッシベーション層は、前記酸化物層の電気的な完全性を損なう恐れのあるドーパント並びに他のどのような化学種も実質的に含まないことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/864

FI (2)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/90 T