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J-GLOBAL ID：200903049049011525
半導体膜の選択成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044258
Publication number (International publication number)：1994260427
Application date： Mar. 05, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 酸化膜パターンとの界面も平坦で結晶欠陥のない選択成長を行う。【構成】 (100)面より表面エネルギーの低い面方位である(111)面方位のSi基板5を用い、表面に酸化膜2のパターンを形成し、ガスソースシリコン分子線成長法で選択エピタキシャル成長する。すると酸化膜2とエピタキシャル膜7の界面が平坦でファセットがなく結晶欠陥もない。
Claim (excerpt)：
表面に絶縁膜パターンが形成された半導体基板上に半導体膜を選択エピタキシャル成長させる方法であって、前記基板として表面エネルギーの低い面方位のものを選び、しかも成長はガスソース分子線成長によって行うことを特徴とする半導体膜の選択成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
