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J-GLOBAL ID：200903049050844131

化合物半導体装置、その製造方法及び半導体装置

Inventor： 近藤 正彦 ,  魚見 和久 ,  奥野 八重
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114812
Publication number (International publication number)：1995321051
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】Si基板上に、アンチフェイズバンダリーのない、窒素系III-V族混晶半導体が設けられた構造の半導体装置を提供すること。【構成】窒素元素を含むIII-V族混晶半導体からなるn型GaN0.03P0.97バッファ層15、n型半導体多層膜ミラー16、ノンドープ活性層18等より構成される面発光レーザダイオードが、n型Si基板10上に配置されている。この混晶半導体はアンチフェーズバンダリーが認められない。一方、ドレイン電極12、ソース電極13等から構成されるSi電子素子が同一の基板上に設けられている。

Claim (excerpt)：

Si基板上に、アンチフェーズバンダリーがない、V族元素として窒素を含むIII-V族混晶半導体が配置され、該III-V族混晶半導体に化合物半導体素子が設けられたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-211912
  
• 特開平1-238113
  
• 特開平1-184815
  

Cited by examiner (3)

• 特開平1-211912
  
• 特開平1-238113
  
• 特開平1-184815