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J-GLOBAL ID：200903049055493205

化合物半導体装置およびその製法

Inventor： 中川 義和 ,  虫上 雅人
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992291680
Publication number (International publication number)：1994140436
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電子親和力の異なる半導体結晶層をヘテロ接合させて、2次元電子ガスを利用するFETにおいて、両半導体結晶層のエネルギーギャップの差を大きくでき、しかもキャップ層のエッチングをフロンガスを用いずに、ウェットエッチングで簡単に選択エッチングできる化合物半導体装置を提供する。【構成】 アンドープ半導体結晶層3、シリコンからなるドナー不純物がドープされたドープ半導体結晶層5およびキャップ層6が順次積層され、前記ドープ半導体結晶層5がInxGa1-xP(0.4 ≦x≦0.6 )からなり、キャップ層6がGaAsからなる化合物半導体装置。

Claim (excerpt)：

(a)半絶縁性半導体基板上に(イ)アンドープ半導体結晶層と(ロ)該アンドープ半導体結晶層より電子親和力が小さいドープ半導体結晶層と(ハ)高濃度にドープされた半導体結晶層からなるキャップ層とが順次積層され、(b)該キャップ層にリセスが形成されて露出した前記ドープ半導体結晶層上にゲート電極が設けられ、(c)該ゲート電極の両側の前記キャップ層上にドレイン電極とソース電極とが設けられてなる化合物半導体装置であって、前記ドープ半導体結晶層がInxGa1-xP(0.4 ≦x≦0.6 )からなり、前記キャップ層がGaAsからなる化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/308