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J-GLOBAL ID：200903049056138476

高周波マグネトロンプラズマ装置

Inventor： 佐々木 真 ,  福井 洋文 ,  相原 正己 ,  岩崎 千里 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993282723
Publication number (International publication number)：1995147200
Application date： Nov. 11, 1993
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマ装置のエネルギー効率を高めると共に、プラズマを精密に制御することが可能な高周波マグネトロンプラズマ装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る高周波マグネトロンプラズマ装置は、真空室101内に設けたプラズマ励起電極102とこれに対向する電極109とを設け、プラズマ励起電極の周囲に磁気シールド体105を配設し、さらにプラズマ励起電極と対向電極との間のプラズマ励起周波数に対するインピーダンスに比べ、プラズマ励起電極から磁気シールド体を経て接地に至るプラズマ励起周波数に対するインピーダンスを高くしたものであり、高周波電力の磁気シールド体を介した漏洩を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

サセプタ電極と、プラズマ励起電極と、前記プラズマ励起電極に取り付けられた磁石と、前記プラズマ励起電極の周囲に配置された磁気シールドと、を真空室内に有する高周波マグネトロンプラズマ装置であって、前記磁気シールドは、高周波に対して高いインピーダンスを有することを特徴とする高周波マグネトロンプラズマ装置。

IPC (7)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-053264