Pat

J-GLOBAL ID：200903049061038250

強誘電体メモリ装置

Inventor： 中野 洋 ,  大村 正由
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社 ,  シメトリックス・コーポレーション
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994058397
Publication number (International publication number)：1999040759
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【目的】本発明は、安定な分極値を少なくとも3個以上有する多重履歴特性の強誘電体メモリ素子を用いる強誘電体メモリ装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、少なくとも3個以上の安定な分極値を有する多重履歴特性を有し、多重履歴特性に伴なう多値電圧を情報として記憶する強誘電体を電極材料で挟んで形成する強誘電体キャパシタ11と、強誘電体キャパシタ11に直列に接続された誘電体キャパシタ12と、強誘電体キャパシタ11に記憶される多重履歴特性に伴なう多値電圧情報を読み出す電圧電流変換素子16とで構成された強誘電体メモリ装置である。

Claim (excerpt)：

少なくとも3個以上の安定な分極値を有する多重履歴特性を有し、多重履歴特性に伴なう多値電圧を情報として記憶する強誘電体を電極材料で挟んで形成する強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタに直列に接続された誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタに記憶される前記多重履歴特性に伴なう多値電圧情報を読み出す、電圧電流変換素子と、を具備することを特徴とした強誘電体メモリ装置。

IPC (7)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (5)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J