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J-GLOBAL ID：200903049063035755

エッチング装置

Inventor： 広瀬 圭三 ,  輿石 公
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166866
Publication number (International publication number)：1996335568
Application date： Jun. 07, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 微細なエッチングを高速に実施するために処理室内の真空度を高くしても、ガスの排気を損ねることなくプラズマを電極間に効率よく閉じこめ、かつ均一な処理を可能にする。【構成】 上部電極41の周辺に石英のシールドリング42を設け、ウエハWを載置するサセプタ6の周辺には、シリコンの内側フォーカスリング21と石英の外側フォーカスリング22を設ける。シールドリング42の突出部43と外側フォーカスリング22との間を、電極間ギャップよりも狭くし、突出部43は外側フォーカスリング22の上方に位置させる。突出部43と外側フォーカスリング22によってプラズマの拡散が防止される。内側フォーカスリング21を介しているので、ウエハWの周辺部のプラズマ密度が不当に高くならない。突出部43の厚さは薄いので、ガスコンダクタンスは良好である。

Claim (excerpt)：

減圧自在な処理室内に上部電極と下部電極を対向して有し、高周波電力の供給によって前記上部電極と下部電極との間にプラズマを発生させ、前記下部電極上の被処理基板をエッチングする如く構成されたエッチング装置において、上部電極及び下部電極の双方に高周波電力が供給され、上部電極の周辺には上側絶縁体が設けられ、下部電極の周辺には、シリコンからなる第1の環状体と、この第1の環状体の外周に位置する絶縁体からなる第2の環状体が配置され、上側絶縁体における内周寄り部分と第2の環状体との間の最も狭い間隔が、前記上部電極と下部電極との間の間隔よりも狭く設定され、上側絶縁体の内周縁が、第2の環状体の内周縁と外周縁との間に応対する位置に設定されたことを特徴とする、エッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ドライエツチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-302581   Applicant：日電アネルバ株式会社
• 特開平3-291928
  
• 特開昭62-069620
  
• 特開昭60-126832