Pat
J-GLOBAL ID：200903049063754549
ECRプラズマCVD装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
本庄 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992160597
Publication number (International publication number)：1994002151
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】 試料上に良質な導膜を高速度でかつ均一に形成し得るECRプラズマCVD装置。【構成】 このECRプラズマCVD装置A′は,電子サイクロトロン共鳴(ECR)現象を用いて発生させたプラズマ中に堆積用ガス導入口6により導入された堆積用ガスを通過させてイオン化し,試料基板3に堆積させる際に,マイクロ波導入窓2の形状を試料基板3に平行な偏平矩形状とすることにより真空容器4内に磁気コイル7,7の軸方向に延び試料基板3に平行な偏平矩形状のプラズマ発生エリアを形成し,このエリアの外に同エリアを挟んで試料基板3と反対側に堆積用ガス導入口6を対向配備すると共に堆積用ガスの導入方向を試料基板3に向けるように構成されている。上記構成により試料基板3上に良質な薄膜を高速度でかつ均一に形成することができる。
Claim (excerpt)：
試料を内蔵した真空容器に堆積用ガスを導入する堆積用ガス導入手段と,上記真空容器の周囲に並設された少なくとも1対の磁気コイル群に同一方向に電流を流すことにより該真空容器内に磁場を発生させる磁場発生手段と,上記磁場発生手段により発生させる磁場内にマイクロ波を導入して電場を発生させる電場発生手段とを備え,上記磁場発生手段により発生させる磁場と上記電場発生手段により発生させる電場との相互作用によって生じる電子サイクロトロン共鳴現象を用いて発生させたプラズマ中に上記堆積用ガス導入手段により導入された堆積用ガスを通過させてイオン化し,上記試料に堆積させることにより該試料上に薄膜を形成するECRプラズマCVD装置において,上記マイクロ波の導入部の断面形状を上記試料に平行な偏平矩形状とすることにより,上記真空容器内に上記磁気コイル群の軸方向に延び上記試料に平行な偏平矩形状のプラズマ発生エリアを形成し,上記エリア外に該エリアを挟んで上記試料と反対側に堆積用ガス導入手段を対向配備すると共に,上記堆積用ガス導入手段により導入される堆積用ガスの導入方向を上記試料に向けるようにしたことを特徴とするECRプラズマCVD装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
