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J-GLOBAL ID：200903049064896398

フォトダイオードおよびこの駆動方法

Inventor： 多田 正浩
Applicant, Patent owner： 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003309970
Publication number (International publication number)：2005079438
Application date： Sep. 02, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】pin構造のフォトダイオードについて半導体層の面積を増加させることなく光電流量を増加させる。【解決手段】p領域111とi領域112の接合面積よりもi領域112とn領域113の接合面積の方を広く形成する。p領域111にはアノード電極115を接続し、n領域113にはカソード電極116を接続し、i領域112の上には絶縁膜を介してゲート電極114を設ける。アノード電極115とカソード電極116間に逆バイアス電圧を印加するとともにゲート電極114に負電圧を印加してi領域112にホールを発生させることにより、i領域112とn領域113の境に沿って空乏層を発生させ、光電流量を増加させる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

p領域、i領域、n領域を有する半導体層と、 p領域に接続されたアノード電極と、 n領域に接続されたカソード電極とを備え、 p領域とi領域の接合面積とi領域とn領域の接合面積のうちの一方の接合面積が他方の接合面積よりも広く形成されたことを特徴とするフォトダイオード。

IPC (1)：

H01L31/10

FI (2)：

H01L31/10 E ,  H01L31/10 G

F-Term (6)：

5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049NA01 ,  5F049QA03 ,  5F049QA20 ,  5F049UA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第2959682号公報