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J-GLOBAL ID:200903049065106641

半導体回路形成装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 松浦 孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998186027
Publication number (International publication number):2000021728
Application date: Jul. 01, 1998
Publication date: Jan. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 半導体装置の製造工程全体のコストを下げ、かつ製造時間を短縮する。【解決手段】 表面に金属薄膜とレジスト膜とが形成された線状半導体素材30を、ローラ142、144を回転させることにより、一定の速度で搬送する。ローラ142とローラ144との間に近接場光発生器154が放射状に配設された露光装置140を設ける。線状半導体素材30を露光装置140の円筒孔152に通し、線状半導体30の表面を近接場光によって露光し、微細な回路パターンを線状半導体30に描画する。回路パターンが描画された線状半導体素材30を現像、エッチングすることにより電極を形成し、一定の長さに切断する。一定長さの線状半導体素材30を用いて半導体装置を製造する。
Claim (excerpt):
線状に形成された半導体素材の外周面に回路パターンを形成する装置であって、前記線状半導体素材を長手方向に移動させる移動手段と、前記移動手段によって移動する前記線状半導体素材の外周面に、近接場光を用いて回路パターンを描画する描画手段とを備えることを特徴とする半導体回路形成装置。
IPC (7):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/68 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 29/06
FI (8):
H01L 21/30 527 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 27/00 301 Z ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/30 502 Z
F-Term (16):
2H097AB05 ,  2H097BA06 ,  2H097CA03 ,  2H097CA17 ,  2H097GA45 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  5F031AA10 ,  5F031CC01 ,  5F031KK04 ,  5F031KK06 ,  5F046BA02 ,  5F046BA10 ,  5F046CD01 ,  5F046CD05 ,  5F046CD06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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