Pat
J-GLOBAL ID:200903049078966070
アニリド誘導体、その製造法および用途
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
朝日奈 忠夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998360780
Publication number (International publication number):1999263764
Application date: Dec. 18, 1998
Publication date: Sep. 28, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】MCP-1レセプター拮抗作用を有する新規アニリド誘導体の提供【解決手段】一般式1[R1は置換されてもよい5〜6員環、Wは一般式または(環Aは置換されてもよい5〜6員芳香環、Xは置換されてもよい炭素/窒素、硫黄または酸素、環Bは置換されてもよい5〜7員環を示す)、Zは結合手または二価の基、R2は1)置換されても、窒素が4級アンモニウム化されてもよいアミノ基、2)置換されても、環構成硫黄または酸素を含有しても、窒素が4級アンモニウム化されてもよい含窒素複素環基、3)硫黄を介して結合する基または4)一般式(kは0または1を示し、kが0の時燐はホスホニウム塩を形成してもよく、R5とR6は各置換されてもよい炭化水素/アミノ基または互いに結合して隣接する燐とともに環状基を形成してもよい)である]の化合物またはその塩。
Claim (excerpt):
式【化1】[式中、R1は置換されていてもよい5〜6員環を示し、Wは式【化2】(式中、環Aは置換されていてもよい5〜6員芳香環を示し、Xは置換されていてもよい炭素原子、置換されていてもよい窒素原子、硫黄原子または酸素原子を示し、環Bは置換されていてもよい5〜7員環を示す)で表される二価の基を示し、Zは結合手または二価の基を示し、R2は(1)置換されていてもよく、窒素原子が4級アンモニウム化されていてもよいアミノ基、(2)置換されていてもよく、環構成原子として硫黄原子または酸素原子を含有していてもよく、窒素原子が4級アンモニウム化されていてもよい含窒素複素環基、(3)硫黄原子を介して結合する基または(4)式【化3】(式中、kは0または1を示し、kが0の時、燐原子はホスホニウム塩を形成していてもよく、R5およびR6はそれぞれ置換されていてもよい炭化水素基または置換されていてもよいアミノ基を示し、R5およびR6は互いに結合して隣接する燐原子とともに環状基を形成していてもよい)で表される基を示す]で表される化合物またはその塩。
IPC (51):
C07C233/62
, A61K 31/00 603
, A61K 31/00 609
, A61K 31/00 629
, A61K 31/00 631
, A61K 31/00 635
, A61K 31/00 643
, A61K 31/165
, A61K 31/38 602
, A61K 31/395
, A61K 31/40
, A61K 31/425 601
, A61K 31/435
, A61K 31/445
, A61K 31/495
, A61K 31/495 601
, A61K 31/505
, A61K 31/535
, A61K 31/54
, A61K 31/55
, A61K 31/66
, A61K 31/675
, C07C231/02
, C07D211/14
, C07D213/20
, C07D213/30
, C07D213/40
, C07D213/61
, C07D213/74
, C07D213/84
, C07D213/85
, C07D213/89
, C07D223/04
, C07D239/42
, C07D277/28
, C07D295/14
, C07D307/66
, C07D309/14
, C07D311/04
, C07D313/08
, C07D317/54
, C07D335/06
, C07D337/08
, C07D405/12 213
, C07D407/12 307
, C07D407/12 309
, C07D409/12 309
, C07D409/12 311
, C07D453/02
, C07F 9/44
, C07F 9/54
FI (52):
C07C233/62
, A61K 31/00 603 N
, A61K 31/00 609 F
, A61K 31/00 629 A
, A61K 31/00 631
, A61K 31/00 635
, A61K 31/00 643 D
, A61K 31/165
, A61K 31/38 602
, A61K 31/395
, A61K 31/40
, A61K 31/425 601
, A61K 31/435
, A61K 31/445
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, A61K 31/495 601
, A61K 31/505
, A61K 31/535
, A61K 31/54
, A61K 31/55
, A61K 31/66
, A61K 31/675
, C07C231/02
, C07D211/14
, C07D213/20
, C07D213/30
, C07D213/40
, C07D213/61
, C07D213/74
, C07D213/84
, C07D213/85
, C07D213/89
, C07D223/04
, C07D239/42 Z
, C07D277/28
, C07D295/14 Z
, C07D295/14 A
, C07D307/66
, C07D309/14
, C07D311/04
, C07D313/08
, C07D317/54
, C07D335/06
, C07D337/08
, C07D405/12 213
, C07D407/12 307
, C07D407/12 309
, C07D409/12 309
, C07D409/12 311
, C07D453/02
, C07F 9/44
, C07F 9/54
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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フェニルベンズイミダゾール誘導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-330047
Applicant:三井東圧化学株式会社
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ベンズイミダゾール誘導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-154074
Applicant:三井東圧化学株式会社
-
ピロリルベンズイミダゾール誘導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-316083
Applicant:三井東圧化学株式会社
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