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J-GLOBAL ID：200903049095805960

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造

Inventor： ゼレヴァ,ツヴェタンカ ,  トムソン,ダレン・ビー ,  スミス,スコット・エイ ,  リンシカム,ケヴィン・ジェイ ,  ゲールケ,トーマス ,  デイヴィス,ロバート・エフ
Applicant, Patent owner： ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000553988
Publication number (International publication number)：2002518826
Application date： Jun. 09, 1999
Publication date： Jun. 25, 2002
Summary：

【要約】基礎的窒化ガリウム層(106)の側壁(105)を、この基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ(107)内に横方向に成長させて、これにより横方向の窒化ガリウム半導体層(108a)を形成する。次に、マイクロ電子デバイスをこの横方向の窒化ガリウム層内に形成する。転位欠陥は側壁から基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ内にほとんど伝播しないので、横方向の窒化ガリウム半導体層には比較的欠陥がない。さらに、この側壁の成長は、横方向の窒化ガリウム層の成長の間に、基礎的窒化ガリウム層の部分をマスクする必要なしに行うことができる。横方向の窒化ガリウム半導体層の欠陥密度は、横方向の窒化ガリウム層から第2の窒化ガリウム半導体層を成長させることによって、さらに減少させることができる。

Claim (excerpt)：

基礎的窒化ガリウム層の側壁を前記基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ内に横方向に成長させて、これにより横方向の窒化ガリウム半導体層を形成するステップを含んでなる窒化ガリウム半導体層の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20

F-Term (20)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DB09 ,  5F045HA02 ,  5F052KA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-049906   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-119377   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-275826   Applicant：日亜化学工業株式会社