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J-GLOBAL ID：200903049102906181

窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 奧野 八重 ,  塚田 俊久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996118658
Publication number (International publication number)：1997307188
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 窒素系III-V族化合物半導体は、主に劈開しにくいウルツ鉱型六方格子構造を有しており、共振器端面を作製することが困難である。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することが困難であった。従って本材料によって青緑色の端面発光型半導体レーザを作製することができなかった。【解決手段】 窒素系III-V族化合物半導体薄膜を、直接接着により面心立方格子構造を有する半導体基板上に形成する。面心立方格子構造は劈開が容易であり、基板の劈開によって窒素系薄膜の擬似劈開面を形成することができる。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することができる。【効果】 擬似劈開面により端面発光型レーザを実現するに不可欠な共振器端面を容易に形成できる。更に、接触抵抗の低減により駆動電圧を低減することができる。従って、これまで作製し得なかった青緑色半導体レーザを作製することができる。

Claim (excerpt)：

窒素をV族構成元素の主たる元素とするIII-V族の第1の化合物半導体層を有して成る半導体光素子であり、前記第1の化合物半導体層は窒素を構成元素に含まない第1の半導体基板の表面上に直接接着により一体化されて成ることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/08 S