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J-GLOBAL ID：200903049129354482

半導体混晶

Inventor： 尾江 邦重 ,  浅井 裕充
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149865
Publication number (International publication number)：1997008405
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 温度変動に対してバンドギャップが一定である半導体混晶材料を得る。【構成】 Biを含み他がIII族とV族の元素よりなる材料で半導体混晶3を形成し、上記材料のバンドギャップを0.6eVから1.5eVにする。

Claim (excerpt)：

Biを含み他がIII族とV族の元素よりなる材料からなり、かつ、上記材料のバンドギャップが0.6eVから1.5eVであることを特徴とする半導体混晶。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/201 ,  H01L 31/10

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/201 ,  H01L 31/10 A