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J-GLOBAL ID：200903049137924476

化合物半導体中の窒素濃度の測定方法

Inventor： 山田 雅人 ,  柳澤 宗久 ,  樋口 晋
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995055509
Publication number (International publication number)：1996250563
Application date： Mar. 15, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 間接遷移型 III-V族化合物半導体中、特に該化合物半導体のエピタキシャル成長層中の窒素濃度を、非破壊でかつ簡便に測定する測定方法を提供する。【構成】 間接遷移型 III-V族化合物半導体中にアイソエレクトロニック・トラップとして添加されている窒素の濃度を測定する方法において、アイソエレクトロニック・トラップに束縛されたエキシトンによる吸収波長λN と同波長の光を入射光とし、該入射光に対する、窒素が添加されている間接遷移型 III-V族化合物半導体の吸収係数αN と、窒素が添加されていない該化合物半導体の吸収係数αの差Δα(Δα=αN -α)を求め、予め得られているΔαと該化合物半導体中の窒素濃度との相関関係から、窒素濃度を求めることを特徴とする間接遷移型 III-V族化合物半導体中の窒素濃度の測定方法。

Claim (excerpt)：

間接遷移型 III-V族化合物半導体中にアイソエレクトロニック・トラップとして添加されている窒素の濃度を測定する方法において、アイソエレクトロニック・トラップに束縛されたエキシトンによる吸収波長λN と同波長の光を入射光とし、該入射光に対する、窒素が添加されている間接遷移型 III-V族化合物半導体の吸収係数αN と、窒素が添加されていない該化合物半導体の吸収係数αの差Δα(Δα=αN -α)を求め、予め得られているΔαと該化合物半導体中の窒素濃度との相関関係から、窒素濃度を求めることを特徴とする間接遷移型 III-V族化合物半導体中の窒素濃度の測定方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/31 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/31 Z ,  H01L 33/00 A