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J-GLOBAL ID:200903049140645740

トランジスタモジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山田 稔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992039649
Publication number (International publication number):1993235258
Application date: Feb. 26, 1992
Publication date: Sep. 10, 1993
Summary:
【要約】【目的】 電気的並列状態にある各内蔵チップに流れる電流レベルを均等化し、信頼性の高いトランジスタモジュールを実現すること。【構成】 トランジスタモジュール1において、線対称状に配置された一方側および他方側回路パターン領域7,9からなる第1の回路パターン領域11には、線対称に分岐するコレクタ端子20が対称位置で導電接続する一方、第2の回路パターン領域13にはエミッタ端子21が導電接続している。ここで、シリコンチップ15,16は一方側および他方側回路パターン領域7,9の側に搭載されてコレクタ端子20とエミッタ端子21との間で電気的に並列状態にある。
Claim (excerpt):
モジュール内の第1および第2の回路パターン領域のうちの対応する回路パターン領域に導電接続する接続端子部およびこの接続端子部に中間端子部を介して導電接続する外部端子部を備える第1および第2の外部引出し端子と、前記第1および第2の回路パターン領域のうちの一方側に設けられて前記第1および第2の外部引出し端子の間で電気的並列状態にある複数の内蔵チップと、を有し、前記第1の回路パターン領域は、前記第2の回路パターン領域から等距離を隔てた位置に線対称状に配置された一方側回路パターン領域および他方側回路パターン領域として形成され、この第1の回路パターン領域に対応する前記第1の外部引出し端子は、その中間端子部が接続端子部まで略同寸法の一方側中間端子部および他方側中間端子部に分岐して前記一方側および他方側回路パターン領域に対してそれらの対称中心線を中心線とする対称位置に導電接続していることを特徴とするトランジスタモジュール。
IPC (2):
H01L 25/04 ,  H01L 25/18

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