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J-GLOBAL ID：200903049144056714

化合物半導体膜の形成方法

Inventor： 中澤 崇一 ,  池上 隆俊
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： ▲角▼谷 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006032367
Publication number (International publication number)：2007214344
Application date： Feb. 09, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：

【課題】 基板が下向きに凸状に反ることによる局所加熱を防止すること。【解決手段】 本発明は、基板2をサセプタ1の上面に設置して加熱しながらこの基板2上に化合物半導体膜4を堆積させる化合物導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部3を設け、この凹部3は、前記基板2の下方へ凸の反りに対応して基板2の中心が前記サセプタ3に常に非接触で、基板2の外周部が前記サセプタ1に常に接触する深さと広さを有することを特徴とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板をサセプタの上面に設置して加熱しながらこの基板上に化合物半導体膜を堆積させる化合物半導体膜の形成方法において、前記サセプタの上面に凹部を設け、この凹部は、前記基板の下方へ凸の反りに対応して基板の中心が前記サセプタに常に非接触で、基板の外周部が前記サセプタに常に接触する深さと広さを有することを特徴とする化合物半導体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  H01L 21/683

FI (3)：

H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/68 N

F-Term (27)：

4K030AA01 ,  4K030AA13 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030GA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030LA01 ,  4K030LA12 ,  5F031CA01 ,  5F031CA04 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA07 ,  5F031MA28 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045CA10 ,  5F045EK21 ,  5F045EM02 ,  5F045EM06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化合物半導体膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-205040   Applicant：京セラ株式会社