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J-GLOBAL ID:200903049157558247

レーザダイオードモジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長門 侃二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999257546
Publication number (International publication number):2001085785
Application date: Sep. 10, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 レーザダイオードの出力を安定して制御することが可能なレーザダイオードモジュールを提供する。【解決手段】 外部帰還部9aとレーザダイオード6とを有するレーザダイオードモジュール1。内部に、レーザダイオードの出力光のモニタ7を有し、モニタ7は、レーザダイオード6の後端面6bから出射される光LMNの一部と、外部帰還部9aから帰還される光LRFO,LRFIの一部とを受光し、レーザダイオードの後端面から出射される光の一部あるいは外部帰還部から帰還される光の一部のいずれか一方の光のパワーが、受光する全光のパワーの60%以上となるように設定する。
Claim (excerpt):
外部帰還部とレーザダイオードとを有するレーザダイオードモジュールにおいて、内部に、前記レーザダイオードの出力光のモニタを有し、当該モニタは、前記レーザダイオードの後端面から出射される光の一部と、前記外部帰還部から帰還される光の一部とを受光し、前記いずれか一方の光のパワーが、受光する全光のパワーの60%以上となるように設定することを特徴とするレーザダイオードモジュール。
IPC (2):
H01S 5/0683 ,  G02B 6/42
FI (2):
H01S 5/0683 ,  G02B 6/42
F-Term (9):
2H037BA02 ,  2H037CA05 ,  2H037CA08 ,  5F073AA63 ,  5F073AA83 ,  5F073AB28 ,  5F073EA15 ,  5F073FA04 ,  5F073FA25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザモジュ-ル
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-363612   Applicant:日本電気株式会社
  • 半導体レーザ装置及びその組立方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-240085   Applicant:三菱電機株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-002060   Applicant:松下電子工業株式会社
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