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J-GLOBAL ID：200903049178937728

巨大磁気抵抗効果膜

Inventor： 井上 光輝 ,  藤井 壽崇 ,  篠浦 治
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001197
Publication number (International publication number)：2001308414
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 簡便な方法でかつ、磁界感度の良好なトンネル電流磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 基板上に成膜された下地磁性体膜と、当該下地磁性体膜の上に形成された絶縁体膜を有する巨大磁気抵抗効果膜であって、前記下地磁性体膜は、薄膜の面内で方向性を有する凹凸構造を有し、当該凹部に埋設された前記絶縁体膜を介して隣接する下地磁性体膜の凸部間でトンネル電流が流れるように作用する箇所が基板上に形成されているように構成される。

Claim (excerpt)：

基板上に成膜された下地磁性体膜と、当該下地磁性体膜の上に形成された絶縁体膜を有する巨大磁気抵抗効果膜であって、前記下地磁性体膜は、薄膜の面内で方向性を有する凹凸構造を有し、当該凹部に埋設された前記絶縁体膜を介して隣接する下地磁性体膜の凸部間でトンネル電流が流れるように作用する箇所が基板上に形成されていることを特徴とする巨大磁気抵抗効果膜。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R