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J-GLOBAL ID：200903049187683917

EUV露光用反射型マスクブランクおよびEUV露光用反射型マスク並びにEUV露光用反射型マスクの製造方法

Inventor：
笑喜 勉

About 笑喜 勉

, 
細谷 守男

About 細谷 守男


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002034313
Publication number (International publication number)：2002319542
Application date： Feb. 12, 2002
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 EUVマスク等、の製造工程において、エッチングストッパーとしての機能をも果たす中間層として、高精度なパターン形成を可能とする中間層材料を見出し、高精度および高反射率を有するEUVマスクの製造方法を提供し、得られたEUVマスクを用いて半導体基板上にパターンを転写することを特徴とする半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 EUVマスクとして、基板11上にEUV光を反射する多層膜12を有し、前記多層膜12上にエッチングストッパー13として中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層14を有する構造とし、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いることで、高精度なパターン形成を可能とするEUVマスクが実現できた。
Claim (excerpt)：
基板上にEUV光を反射する多層膜を有し、前記多層膜上に中間層を有し、前記中間層上にEUV光を吸収する吸収体層を有するEUV露光用反射型マスクブランクであって、前記中間層としてCrと、N、O、C、のいずれかより選ばれる少なくとも1つ以上の元素と、を含む材料を用いたことを特徴とするEUV露光用反射型マスクブランク。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 503
FI (3)：
G03F 1/14 A ,  G03F 7/20 503 ,  H01L 21/30 531 M
F-Term (13)：
2H095BA01 ,  2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BC24 ,  2H095BC27 ,  2H097CA15 ,  2H097GB00 ,  2H097LA10 ,  5F046GD01 ,  5F046GD02 ,  5F046GD03 ,  5F046GD10 ,  5F046GD12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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