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J-GLOBAL ID：200903049200630003

半導体レーザ装置及びその作製方法

Inventor： 高橋 孝志
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994073440
Publication number (International publication number)：1995283482
Application date： Apr. 12, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】作製過程において精密な位置合わせ工程が不要であり、キャリアの閉じ込め機構を有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供する。【構成】本発明の半導体レーザ装置は、第1導電型基板301と、該基板上に順次エピタキシャル成長された第1導電型クラッド層302,第1のアンドープ光導波層303,量子井戸構造を含む活性層304,第2のアンドープ光導波層305と、該第2の光導波層上に形成されて第2の光導波層表面を露出したストライブ形状の開口部401を有する絶縁層311と、該ストライプ形状の開口部に順次選択的にエピタキシャル成長された第2導電型クラッド層306,第2導電型コンタクト層307と、エピタキシャル層を積層している面と反対側の基板表面及び第2導電型コンタクト層上に形成したオーミック電極309,310とを備えており、前記絶縁層の下に位置する量子井戸構造308を混晶化したものである。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板と、該基板上に順次エピタキシャル成長された第1導電型クラッド層,第1のアンドープ光導波層,量子井戸構造を含む活性層,第2のアンドープ光導波層と、該第2の光導波層上に形成されて第2の光導波層表面を露出したストライブ形状の開口部を有する絶縁層と、該ストライプ形状の開口部に順次選択的にエピタキシャル成長された第2導電型クラッド層,第2導電型コンタクト層と、エピタキシャル層を積層している面と反対側の基板表面及び第2導電型コンタクト層上に形成したオーミック電極とを備えており、前記絶縁層の下に位置する量子井戸構造を混晶化したことを特徴とする半導体レーザ装置。