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J-GLOBAL ID：200903049201611053

3族窒化物半導体発光素子

Inventor： 上村 俊也 ,  柴田 直樹 ,  梅崎 潤一
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996148350
Publication number (International publication number)：1997307141
Application date： May. 16, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】素子特性を劣化させることなく製造を容易にすると共に、静電耐圧を向上させること。【解決手段】3族窒化物半導体から成る少なくともp層とn層とが積層され、上層71,71,6,5,4の一部を除去して、下層の電流供給層3の一部を露出させ、最上層71及び電流供給層3の露出部分に電極8,10を形成した発光素子100において、発光素子の表面上に、比抵抗0.1 Ωcm〜1 ×105 Ωcmの保護膜11を形成した。保護膜11は、金属アルコレート(M-OR)又は珪素化合物を有機溶剤又は水に溶かした溶液を塗布後、加熱乾燥して得られる。低温で形成でき、製造が容易となる。又、比抵抗が完全な絶縁体の否抵抗よりも十分に低いため、静電耐圧を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体から成る少なくともp層とn層とが積層され、上層の一部を除去して、下層の電流供給層の一部を露出させ、最上層及び前記電流供給層の露出部分に電極を形成した発光素子において、前記発光素子の表面上に形成された、比抵抗0.1 Ωcm〜1 ×105 Ωcmの保護膜を有することを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18