Pat
J-GLOBAL ID：200903049230007122
フォトレジスト架橋単量体、フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000043101
Publication number (International publication number)：2000239436
Application date： Feb. 21, 2000
Publication date： Sep. 05, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】新規のフォトレジスト架橋単量体及びその製造方法の提供。【解決手段】遠紫外線領域で用いられ得る下記式(1)の架橋単量体、そのホモ重合体及びその共重合体から選択されるネガティブ型フォトレジスト架橋剤、及びこれを利用したフォトレジスト組成物に関するものであり、特に、架橋剤は化学増幅型であると同時に高分子で構成された架橋剤であるため、架橋の密度が非常に大きく光敏感度が求められるArF(193nm)又はEUV用フォトレジストの製造に有用である。
Claim (excerpt)：
下記式(1)に示されるフォトレジスト架橋単量体。【化1】前記式(1)で、X1及びX2は、それぞれCH2、CH2CH2、O又はSであり、p及びsは、0〜5のいずれかの整数であり、qは0又は1であり、R'及びR''は、それぞれ水素又はメチルであり、Rは、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエーテル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエーテル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものであり、R1及びR2は、それぞれ、水素、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものである。
IPC (6)：
C08K 5/156
, C08F 32/08
, C08L101/00
, G03F 7/038 601
, G03F 7/30
, G03F 7/32
C08K 5/156
, C08F 32/08
, C08L101/00
, G03F 7/038 601
, G03F 7/30
, G03F 7/32
