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J-GLOBAL ID：200903049239222514

半導体レーザ素子

Inventor： 粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993301290
Publication number (International publication number)：1995131116
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザ特性を向上させた埋め込み型の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 ストライプ状に形成され、少なくとも活性層13を含むメサ部分と、該メサ部分の両側を埋め込む、n型InP層12とp型ドーパントを含むp型InP層14で挟まれたFeを含む半絶縁性InP電流阻止層16とを備えた埋め込み型の半導体レーザ素子において、半絶縁性InP電流阻止層16とそれを挟む二つのInP層の一方のp型InP層14との間にノンドープまたはn型のGaInAs(P)層17を挿入する。

Claim (excerpt)：

ストライプ状に形成され、少なくとも活性層を含むメサ部分と、該メサ部分の両側を埋め込む、n型InP層とp型ドーパントを含むp型InP層で挟まれたFeを含む半絶縁性InP電流阻止層とを備えた埋め込み型の半導体レーザ素子において、半絶縁性InP電流阻止層とそれを挟む二つのInP層の一方のp型InP層との間にノンドープまたはn型のGaInAs(P)層が挿入されてなることを特徴とする半導体レーザ素子。