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J-GLOBAL ID：200903049245785962

表面層の複素誘電率の変化量算出方法

Inventor： 上井 邦彦 ,  小林 直樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997067913
Publication number (International publication number)：1998260133
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 反射率の相対変化ΔR(ω)/R(ω)の測定だけから、表面層の正しい複素誘電率変化Δεlayer (ω)を求めることができるようにする。【解決手段】 広い角周波数にわたって反射率の相対変化ΔR(ω)/R(ω)を得る。測定で得られない周波数範囲については適当な外挿を行う。ΔR(ω)/R(ω)をクラマース・クローニッヒ変換して、極小位相シフトの変化Δθc(ω)を求める。ΔR(ω)/R(ω)およびΔθc(ω)から複素反射率の相対変化Δq〜c(ω)を求め、Δq〜c(ω)から表面層の複素誘電率変化Δεc(ω)を求める。ここで、このΔεc(ω)に関数ffit を用いて曲線のあてはめを行い、この曲線のあてはめを行った後に関数ffit においてK0 =0とすることによって、より正確な複素誘電率変化Δε(ω)を求める。

Claim (excerpt)：

広い角周波数にわたって得た反射率の相対変化ΔR(ω)/R(ω)をクラマース・クローニッヒ(Kramers-Kronig)変換して極小位相シフトの変化Δθc(ω)を求めるステップと、前記反射率の相対変化ΔR(ω)/R(ω)および前記極小位相シフトの変化Δθc(ω)から複素反射率の相対変化Δq〜c(ω)を求めるステップと、前記複素反射率の相対変化Δq〜c(ω)から表面層の複素誘電率変化Δεc(ω)を求めるステップとからなる3相モデルを用いた表面層の複素誘電率の変化量算出方法において、前記表面層の複素誘電率変化Δεc(ω)にクラマース・クローニッヒの関係を満たすような関数を用いて曲線のあてはめを行い、この曲線のあてはめを行った後に3相モデルに現れる位相シフトが前記極小位相シフトとならないための補正項を零とすることによってより正確な複素誘電率変化Δε(ω)を求めるようにしたことを特徴とする表面層の複素誘電率の変化量算出方法。

IPC (2)：

G01N 21/27 ,  G01N 21/41

FI (2)：

G01N 21/27 B ,  G01N 21/41 Z