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J-GLOBAL ID:200903049258540942

配線形成法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊沢 敏昭
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994060222
Publication number (International publication number):1995245345
Application date: Mar. 04, 1994
Publication date: Sep. 19, 1995
Summary:
【要約】【目的】 配線形成法において、微細な接続孔に配線材料を良好に埋込む。【構成】 基板10の表面を覆う絶縁膜12に被接続部に対応する接続孔を形成した後、基板上面には、バリアメタル層13を介してAl等の配線材層14を減圧雰囲気中で被着する。配線材層14に流動性をもたせた状態でN2 ガスを導入するなどして雰囲気圧力を常圧又は陽圧に上昇させることにより配線材層14を接続孔内に押込む。このとき、配線材層14中の空洞Pが消失し、良好な埋込み状態となる。この後は、層13,14を適宜パターニングして配線層を得る。
Claim (excerpt):
基板の表面に被接続部を覆って絶縁膜を形成した後、該絶縁膜に該被接続部に対応する接続孔を形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記接続孔を覆って配線材層を減圧雰囲気中で被着する工程と、前記配線材層に流動性をもたせた状態で雰囲気圧力を減圧から常圧又は陽圧に上昇させることにより前記接続孔に前記配線材層を押込む工程と、前記配線材層をパターニングして前記被接続部につながる配線層を形成する工程とを含む配線形成法。
IPC (2):
H01L 21/768 ,  H01L 21/28

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