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J-GLOBAL ID：200903049259972668

半導体装置、その製造方法、半導体素子のテスト方法、そのテスト基板およびそのテスト基板の製造方法

Inventor： 濱口 恒夫 ,  利田 賢二 ,  出田 吾朗 ,  石崎 光範 ,  林 修 ,  星之内 進
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮園 純一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994030341
Publication number (International publication number)：1995240496
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の高速化・高密度化・小形化を低コストで実現する。【構成】 ベアチップなる半導体素子3に電力を供給する給電基板2が半導体素子3の収容部2aを有し、半導体素子3が半導体素子3に信号の伝送を行う信号伝送基板1の配線層1bに接合され、半導体素子3が収容部2aに収容され、収容部2aが信号伝送基板1で閉鎖され、信号伝送基板1が給電基板2に重合されて接合される。

Claim (excerpt)：

未パッケージで良品の半導体素子と、この半導体素子に信号の伝送を行う配線層を有する信号伝送基板と、上記半導体素子に電力を供給する給電基板とを備えた半導体装置において、上記給電基板が半導体素子の収容部を有し、この半導体素子が上記信号伝送基板の配線層に接合され、この半導体素子が上記収容部に収容され、この収容部が上記信号伝送基板で閉鎖され、この信号伝送基板が上記給電基板に重合されて接合されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/66 ,  H01L 23/538

FI (2)：

H01L 25/04 Z ,  H01L 23/52 A