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J-GLOBAL ID：200903049272603582

多層配線の接続構造

Inventor： 岡田 克也 ,  東谷 恵市
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998101066
Publication number (International publication number)：1999297826
Application date： Apr. 13, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置を平坦化でき、スルーホールを製造する工程が増加しない多層配線の接続構造を提供する。【解決手段】 多層配線の接続構造は、シリコン基板1と、シリコン基板1上に形成された、上面6aと側面6bを有する導電層6と、導電層6の側面6bに接し、かつ導電層の上面6aを露出させるように形成された側壁層7および8と、導電層6の上面6aに達するスルーホール9を有する絶縁層13とを備える。絶縁層13がエッチングされる速度は側壁層7および8がエッチングされる速度よりも速い。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された、上面と側面とを有する第1導電層と、前記第1導電層の側面に接し、かつ前記第1導電層の上面を露出させるように形成された側壁層と、前記第1導電層と前記側壁層とを覆い、前記第1導電層の上面に達する貫通孔を有する絶縁層と、前記貫通孔を充填して前記第1導電層に接するように前記絶縁層の上に形成された第2導電層とを備え、前記絶縁層がエッチングされる速度は、前記側壁層がエッチングされる速度よりも速い、多層配線の接続構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 B