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J-GLOBAL ID：200903049287072427
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993348537
Publication number (International publication number)：1995193320
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】TE偏光/TM偏光比の大きな半導体レーザ装置を提供すること。【構成】n型InGaAlPクラッド層13とp型InGaAlPクラッド層19とで、アンドープInGaP量子井戸層15、アンドープInGaAlP量子井戸層16、アンドープInGaP量子井戸層17からなる量子井戸構造の活性層を挟んでなるダブルへテロ接合構造部と、p型InGaAlPクラッド層19上に設けられ、レーザ発振波長に対して吸収損失を有するAu金属層24とを備えている。
Claim (excerpt)：
導電型の異なる二つのクラッド層で活性層を挟んでなるダブルへテロ接合構造部と、このダブルヘテロ接合構造部に接して形成された光導波構造部とを有する半導体レーザ装置において、前記光導波構造部内に設けられ、レーザ発振波長に対してTM偏光損失およびTE偏光損失を有する金属層とを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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